8 (800) 511-65-20

info@unirec.ru

Загрузить BOM

Полевые транзисторы (MOSFET)

292 элемента в разделе
Сбросить фильтр Показать Скрыть фильтр
VB1204M VBsemi SOT-23 200 0.6
VB1204M
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  200V, 0.6A
Vds(V): 200
ID(A): 0.6
VB3407A VBsemi SOT23-3 -30 -5.6 20 36 44
VB3407A
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -30V, -5.6A
Vds(V): -30
ID(A): -5.6
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 36
Rds(on) mΩ max 4.5V: 44
Vth(V)typ: -1.5
VBFB1104N VBsemi TO251 100 35 20 40 48
VBFB1104N
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  100V, 35A
Vds(V): 100
ID(A): 35
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 40
Rds(on) mΩ max 4.5V: 48
Operating Temperature Range (℃): -55~175
Vth(V)typ: 2~4
VBGA1156N VBsemi SOP-8 150 5 ±20 55
VBGA1156N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 5A
Vds(V): 150
ID(A): 5
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 55
Vth(V)typ: 3.3
VBGA1256N VBsemi SOP-8 250 5 ±20 60
VBGA1256N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  250V, 5A
Vds(V): 250
ID(A): 5
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 60
Vth(V)typ: 3.5
VBGA3153N VBsemi SOP-8 150 20 ±20 30
VBGA3153N
Подробнее В запрос
Dual SGT MOSFET  150V, 20A
Vds(V): 150
ID(A): 20
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 30
Vth(V)typ: 3.4
VBGE1108N VBsemi TO-252 100 16 ±20 75
VBGE1108N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  100V, 16A
Vds(V): 100
ID(A): 16
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 75
Vth(V)typ: 1.9
VBGE11208 VBsemi TO-252 120 50 ±20 8.8
VBGE11208
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  120V, 50A
Vds(V): 120
ID(A): 50
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 8.8
Vth(V)typ: 1.8
VBGE1121N VBsemi TO-252 120 60 ±20 11.5
VBGE1121N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  120V, 60A
Vds(V): 120
ID(A): 60
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 11.5
Vth(V)typ: 1.7
VBGE1124N VBsemi TO-252 200 25 ±20 40
VBGE1124N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  200V, 25A
Vds(V): 200
ID(A): 25
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 40
Vth(V)typ: 3.5
VBGE1152N VBsemi TO-252 150 45 ±20 24
VBGE1152N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 45A
Vds(V): 150
ID(A): 45
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 24
Vth(V)typ: 3.1
VBGE1156N VBsemi TO-252 150 20 ±20 59
VBGE1156N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 20A
Vds(V): 150
ID(A): 20
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 59
Vth(V)typ: 3.3
VBGE1252M VBsemi TO-252 250 15 ±20 200
VBGE1252M
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  250V, 15A
Vds(V): 250
ID(A): 15
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 200
Vth(V)typ: 3.5
VBGE1256N VBsemi TO-252 250 25 ±20 60
VBGE1256N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  250V, 25A
Vds(V): 250
ID(A): 25
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 60
Vth(V)typ: 3.5
VBGJ1108N VBsemi SOT-223 100 7 ±20 75
VBGJ1108N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  100V, 7A
Vds(V): 100
ID(A): 7
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 75
Vth(V)typ: 1.9
VBGL11203 VBsemi TO-263 120 190 ±20 2.8
VBGL11203
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  120V, 190A
Vds(V): 120
ID(A): 190
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 2.8
Vth(V)typ: 3
VBGL11203-6L VBsemi TO-263-6L 120 190 ±20 2.8
VBGL11203-6L
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  120V, 190A
Vds(V): 120
ID(A): 190
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 2.8
Vth(V)typ: 3
VBGL11205 VBsemi TO-263 120 130 ±20 4.4
VBGL11205
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  120V, 130A
Vds(V): 120
ID(A): 130
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 4.4
Vth(V)typ: 3
VBGL1121N VBsemi TO-263 120 70 ±20 8.3
VBGL1121N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  120V, 70A
Vds(V): 120
ID(A): 70
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 8.3
Vth(V)typ: 3
VBGL11505 VBsemi TO-263 150 140 ±20 5.6
VBGL11505
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 140A
Vds(V): 150
ID(A): 140
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 5.6
Vth(V)typ: 3
VBGL11515 VBsemi TO-263 150 70 ±20 13.5
VBGL11515
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 70A
Vds(V): 150
ID(A): 70
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 13.5
Vth(V)typ: 3.1
VBGL1151N VBsemi TO-263 150 80 ±20 10.4
VBGL1151N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 80A
Vds(V): 150
ID(A): 80
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 10.4
Vth(V)typ: 3.3
VBGL1201N VBsemi TO-263 200 100 ±20 11
VBGL1201N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  200V, 100A
Vds(V): 200
ID(A): 100
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 11
Vth(V)typ: 3
VBGL1252N VBsemi TO-263 250 80 ±20 16
VBGL1252N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  250V, 80A
Vds(V): 250
ID(A): 80
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 16
Vth(V)typ: 3
VBGM11152N VBsemi TO-220 150 60 ±20 21
VBGM11152N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 60A
Vds(V): 150
ID(A): 60
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 21
Vth(V)typ: 3.5
VBGM11203 VBsemi TO-220 120 120 ±20 3.5
VBGM11203
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  120V, 120A
Vds(V): 120
ID(A): 120
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 3.5
Vth(V)typ: 3
VBGM11206 VBsemi TO-220 120 108 ±20 6.6
VBGM11206
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  120V, 108A
Vds(V): 120
ID(A): 108
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 6.6
Vth(V)typ: 3.3
VBGM11505 VBsemi TO-220 150 140 ±20 5.8
VBGM11505
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 140A
Vds(V): 150
ID(A): 140
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 5.8
Vth(V)typ: 3
VBGM1151N VBsemi TO-220 150 80 ±20 10.4
VBGM1151N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 80A
Vds(V): 150
ID(A): 80
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 10.4
Vth(V)typ: 3.3
VBGM1201N VBsemi TO-220 200 100 ±20 10
VBGM1201N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  200V, 100A
Vds(V): 200
ID(A): 100
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 10
Vth(V)typ: 3
VBGM1231N VBsemi TO-220 230 90 ±20 13
VBGM1231N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  230V, 90A
Vds(V): 230
ID(A): 90
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 13
Vth(V)typ: 3
VBGMB1101M VBsemi TO-220F 200 12 ±20 145
VBGMB1101M
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  200V, 12A
Vds(V): 200
ID(A): 12
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 145
Vth(V)typ: 3.5
VBGMB1121N VBsemi TO-220F 120 60 ±20 10
VBGMB1121N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  120V, 60A
Vds(V): 120
ID(A): 60
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 10
Vth(V)typ: 3
VBGMB1207N VBsemi TO-220F 200 20 ±20 68
VBGMB1207N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  200V, 20A
Vds(V): 200
ID(A): 20
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 68
Vth(V)typ: 3.5
VBGMB12501M VBsemi TO-220F 250 15 ±20 102
VBGMB12501M
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  250V, 15A
Vds(V): 250
ID(A): 15
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 102
Vth(V)typ: 3.5
VBGMB1252N VBsemi TO-220F 250 80 ±20 16
VBGMB1252N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  250V, 80A
Vds(V): 250
ID(A): 80
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 16
Vth(V)typ: 3
VBGMB1256N VBsemi TO-220F 250 25 ±20 60
VBGMB1256N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  250V, 25A
Vds(V): 250
ID(A): 25
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 60
Vth(V)typ: 3.5
VBGP1102N VBsemi TO-251 100 45 ±20 18
VBGP1102N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  100V, 45A
Vds(V): 100
ID(A): 45
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 18
Vth(V)typ: 2
VBGP1121N VBsemi TO-247 200 100 ±20 11
VBGP1121N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  200V, 100A
Vds(V): 200
ID(A): 100
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 11
Vth(V)typ: 3
VBGP11307 VBsemi TO-247 135 110 ±20 7
VBGP11307
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  135V, 110A
Vds(V): 135
ID(A): 110
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 7
Vth(V)typ: 3.5
VBGP11505 VBsemi TO-247 150 180 ±20 4.4
VBGP11505
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 180A
Vds(V): 150
ID(A): 180
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 4.4
Vth(V)typ: 3.9
VBGP11507 VBsemi TO-247 150 110 ±20 6.8
VBGP11507
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 110A
Vds(V): 150
ID(A): 110
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 6.8
Vth(V)typ: 3.5
VBGQA1101N VBsemi DFN5X6-8L 100 55 ±20 9.5
VBGQA1101N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  100V, 55A
Vds(V): 100
ID(A): 55
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 9.5
Vth(V)typ: 1.7
VBGQA1151N VBsemi DFN5X6-8L 150 70 ±20 13.5
VBGQA1151N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 70A
Vds(V): 150
ID(A): 70
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 13.5
Vth(V)typ: 3.1
VBGQA1152N VBsemi DFN5X6-8L 150 50 ±20 21
VBGQA1152N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 50A
Vds(V): 150
ID(A): 50
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 21
Vth(V)typ: 3.5
VBGQA1153N VBsemi DFN5X6-8L 150 45 ±20 26
VBGQA1153N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 45A
Vds(V): 150
ID(A): 45
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 26
Vth(V)typ: 3.1
VBGQA1156N VBsemi DFN5X6-8L 150 20 ±20 56
VBGQA1156N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 20A
Vds(V): 150
ID(A): 20
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 56
Vth(V)typ: 3.1
VBGQA1204N VBsemi DFN5X6-8L 200 25 ±20 40
VBGQA1204N
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  200V, 25A
Vds(V): 200
ID(A): 25
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 40
Vth(V)typ: 3.5
VBGQA3207N VBsemi DFN5X6-8L 200 18 ±20 70
VBGQA3207N
Подробнее В запрос
Dual SGT MOSFET  200V, 18A
Vds(V): 200
ID(A): 18
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 70
Vth(V)typ: 3.5
VBGQE11506 VBsemi DFN8X8 150 100 ±20 5.7
VBGQE11506
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 100A
Vds(V): 150
ID(A): 100
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 5.7
Vth(V)typ: 3
VBGQF1201M VBsemi DFN3.3X3.3-8L 200 10 ±20 145
VBGQF1201M
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  200V, 10A
Vds(V): 200
ID(A): 10
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 145
Vth(V)typ: 3.5
VBGQT11202 VBsemi TOLL 120 230 ±20 2
VBGQT11202
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  120V, 230A
Vds(V): 120
ID(A): 230
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 2
Vth(V)typ: 3
VBGQT11505 VBsemi TOLL 150 170 ±20 5
VBGQT11505
Подробнее В запрос
Single SGT MOSFET  150V, 170A
Vds(V): 150
ID(A): 170
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 5
Vth(V)typ: 3
VBP112MC100 VBsemi TO-247 1200 100 -0.45454545454545
VBP112MC100
Подробнее В запрос
Single SiC MOSFET  1200V, 100A
Vds(V): 1200
ID(A): 100
Vgs(V): -0.45454545454545
Vth(V)typ: 2~4
VBP112MC30 VBsemi TO-247 1200 30 -0.45454545454545
VBP112MC30
Подробнее В запрос
Single SiC MOSFET  1200V, 30A
Vds(V): 1200
ID(A): 30
Vgs(V): -0.45454545454545
Vth(V)typ: 2~4
VBP112MC30-4L VBsemi TO-247-4L 1200 30 -0.45454545454545
VBP112MC30-4L
Подробнее В запрос
Single SiC MOSFET  1200V, 30A
Vds(V): 1200
ID(A): 30
Vgs(V): -0.45454545454545
Vth(V)typ: 2~4
VBP112MC60 VBsemi TO-247 1200 60 -0.45454545454545
VBP112MC60
Подробнее В запрос
Single SiC MOSFET  1200V, 60A
Vds(V): 1200
ID(A): 60
Vgs(V): -0.45454545454545
Vth(V)typ: 2~4
VBP112MC60-4L VBsemi TO-247-4L 1200 60 -0.45454545454545
VBP112MC60-4L
Подробнее В запрос
Single SiC MOSFET  1200V, 60A
Vds(V): 1200
ID(A): 60
Vgs(V): -0.45454545454545
Vth(V)typ: 2~4
VBZ2300 VBsemi SOT23-3 20 3.8 8 40 55
VBZ2300
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  20V, 3.8A
Vds(V): 20
ID(A): 3.8
Vgs(V): 8
Rds(on) mΩ max 4.5V: 40
Rds(on) mΩ max 2.5V: 55
Vth(V)typ: 0.4
VBZ2301 VBsemi SOT23-3 -20 -3.8 12 68 95
VBZ2301
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -20V, -3.8A
Vds(V): -20
ID(A): -3.8
Vgs(V): 12
Rds(on) mΩ max 4.5V: 68
Rds(on) mΩ max 2.5V: 95
Vth(V)typ: -1
VBZ2302 VBsemi SOT23-3 20 2.9 12 68 95
VBZ2302
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  20V, 2.9A
Vds(V): 20
ID(A): 2.9
Vgs(V): 12
Rds(on) mΩ max 4.5V: 68
Rds(on) mΩ max 2.5V: 95
Vth(V)typ: -1
VBZ2305 VBsemi SOT23-3 -20 -5 12 50 68
VBZ2305
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  -20V, -5A
Vds(V): -20
ID(A): -5
Vgs(V): 12
Rds(on) mΩ max 4.5V: 50
Rds(on) mΩ max 2.5V: 68
Vth(V)typ: -1
VBZ2310 VBsemi SOT23-3 30 5.8 20 25 30
VBZ2310
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  30V, 5.8A
Vds(V): 30
ID(A): 5.8
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 25
Rds(on) mΩ max 4.5V: 30
Vth(V)typ: 0.7
VBZ2315 VBsemi SOT23-3 -20 -4.5 12 65 90
VBZ2315
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -20V, -4.5A
Vds(V): -20
ID(A): -4.5
Vgs(V): 12
Rds(on) mΩ max 4.5V: 65
Rds(on) mΩ max 2.5V: 90
Vth(V)typ: -0.7
VBZ2N7002 VBsemi SOT23-3 60 0.3 20 2000 4000
VBZ2N7002
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  60V, 0.3A
Vds(V): 60
ID(A): 0.3
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 2000
Rds(on) mΩ max 4.5V: 4000
Vth(V)typ: 1
VBZ3400 VBsemi SOT23-3 30 6 20 24 33
VBZ3400
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  30V, 6A
Vds(V): 30
ID(A): 6
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 24
Rds(on) mΩ max 4.5V: 33
Vth(V)typ: 1.2
VBZ3401 VBsemi SOT23-3 -30 -2.7 20 88 130
VBZ3401
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -30V, -2.7A
Vds(V): -30
ID(A): -2.7
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 88
Rds(on) mΩ max 4.5V: 130
Vth(V)typ: -1.2
VBZ7001 VBsemi SOT23-3 -60 -0.13 20 4000 5000
VBZ7001
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -60V, -0.13A
Vds(V): -60
ID(A): -0.13
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 4000
Rds(on) mΩ max 4.5V: 5000
Vth(V)typ: -1.8
VBZ8203 VBsemi SOT23-6 30 6.3 20 16 22
VBZ8203
Подробнее В запрос
Dual-N MOSFET  30V, 6.3A
Vds(V): 30
ID(A): 6.3
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 16
Rds(on) mΩ max 4.5V: 22
Vth(V)typ: 0.6
VBZ8205 VBsemi SOT23-6 20 4.6 12 22 40
VBZ8205
Подробнее В запрос
Dual-N MOSFET  20V, 4.6A
Vds(V): 20
ID(A): 4.6
Vgs(V): 12
Rds(on) mΩ max 4.5V: 22
Rds(on) mΩ max 2.5V: 40
Vth(V)typ: 0.6
VBZA4407 VBsemi SOP-8 -30 -11.2 20 12.5 18
VBZA4407
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -30V, -11.2A
Vds(V): -30
ID(A): -11.2
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 12.5
Rds(on) mΩ max 4.5V: 18
Vth(V)typ: -1.5
VBZA4409 VBsemi SOP-8 -30 -15 20 9.2 12.8
VBZA4409
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -30V, -15A
Vds(V): -30
ID(A): -15
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 9.2
Rds(on) mΩ max 4.5V: 12.8
Vth(V)typ: -1.5
VBZA4412 VBsemi SOP-8 30 6.8 20 28 35
VBZA4412
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  30V, 6.8A
Vds(V): 30
ID(A): 6.8
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 28
Rds(on) mΩ max 4.5V: 35
Vth(V)typ: 1
VBZA4425 VBsemi SOP-8 -30 -15 20 8.8 10.5
VBZA4425
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -30V, -15A
Vds(V): -30
ID(A): -15
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 8.8
Rds(on) mΩ max 4.5V: 10.5
Vth(V)typ: -1.5
VBZA4430 VBsemi SOP-8 30 15 20 3.9 5
VBZA4430
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  30V, 15A
Vds(V): 30
ID(A): 15
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 3.9
Rds(on) mΩ max 4.5V: 5
Vth(V)typ: 1.2
VBZA4435 VBsemi SOP-8 -30 -8 20 16 22
VBZA4435
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -30V, -8A
Vds(V): -30
ID(A): -8
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 16
Rds(on) mΩ max 4.5V: 22
Vth(V)typ: -1.5
VBZA4606 VBsemi SOP-8 ±30 6.7/-6 ±20 24/48 36/58
VBZA4606
Подробнее В запрос
N+P MOSFET  ±30V, 6.7/-6A
Vds(V): ±30
ID(A): 6.7/-6
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 24/48
Rds(on) mΩ max 4.5V: 36/58
Vth(V)typ: ±1.5
VBZA4936 VBsemi SOP-8 30 6.8 20 26 33
VBZA4936
Подробнее В запрос
Dual-N MOSFET  30V, 6.8A
Vds(V): 30
ID(A): 6.8
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 26
Rds(on) mΩ max 4.5V: 33
Vth(V)typ: 1.2
VBZA4946 VBsemi SOP-8 60 7 20 35 40
VBZA4946
Подробнее В запрос
Dual-N MOSFET  60V, 7A
Vds(V): 60
ID(A): 7
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 35
Rds(on) mΩ max 4.5V: 40
Vth(V)typ: 1
VBZA4953 VBsemi SOP-8 -30 -5.4 20 46 78
VBZA4953
Подробнее В запрос
Dual-P MOSFET  -30V, -5.4A
Vds(V): -30
ID(A): -5.4
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 46
Rds(on) mΩ max 4.5V: 78
Vth(V)typ: -1.5
VBZA6679 VBsemi SOP-8 -30 -13.5 20 9.2 12.8
VBZA6679
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -30V, -13.5A
Vds(V): -30
ID(A): -13.5
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 9.2
Rds(on) mΩ max 4.5V: 12.8
Vth(V)typ: -1.5
VBZA9435 VBsemi SOP-8 -30 -5.8 20 45 60
VBZA9435
Подробнее В запрос
Single-P MOSFET  -30V, -5.8A
Vds(V): -30
ID(A): -5.8
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 45
Rds(on) mΩ max 4.5V: 60
Vth(V)typ: -1.5
VBZA9926 VBsemi SOP-8 20 6.6 12 22 30
VBZA9926
Подробнее В запрос
Dual-N MOSFET  20V, 6.6A
Vds(V): 20
ID(A): 6.6
Vgs(V): 12
Rds(on) mΩ max 4.5V: 22
Rds(on) mΩ max 2.5V: 30
Vth(V)typ: 0.6
VBZA9936 VBsemi SOP-8 30 7 20 14 20
VBZA9936
Подробнее В запрос
Dual-N MOSFET  30V, 7A
Vds(V): 30
ID(A): 7
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 14
Rds(on) mΩ max 4.5V: 20
Vth(V)typ: 0.6
VBZA9945 VBsemi SOP-8 60 5.3 20 46 55
VBZA9945
Подробнее В запрос
Dual-N MOSFET  60V, 5.3A
Vds(V): 60
ID(A): 5.3
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 46
Rds(on) mΩ max 4.5V: 55
Vth(V)typ: 2
VBZC8205 VBsemi TSSOP8 20 6.6 8 22 40
VBZC8205
Подробнее В запрос
Dual-N MOSFET  20V, 6.6A
Vds(V): 20
ID(A): 6.6
Vgs(V): 8
Rds(on) mΩ max 4.5V: 22
Rds(on) mΩ max 2.5V: 40
Vth(V)typ: 1
VBZC8810 VBsemi TSSOP8 20 7 8 21 40
VBZC8810
Подробнее В запрос
Dual-N MOSFET  20V, 7A
Vds(V): 20
ID(A): 7
Vgs(V): 8
Rds(on) mΩ max 4.5V: 21
Rds(on) mΩ max 2.5V: 40
Vth(V)typ: 1
VBZC8822 VBsemi TSSOP8 20 7.2 8 20 40
VBZC8822
Подробнее В запрос
Dual-N MOSFET  20V, 7.2A
Vds(V): 20
ID(A): 7.2
Vgs(V): 8
Rds(on) mΩ max 4.5V: 20
Rds(on) mΩ max 2.5V: 40
Vth(V)typ: 1
VBZE04N03 VBsemi TO252 30 40 20 3 4
VBZE04N03
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  30V, 40A
Vds(V): 30
ID(A): 40
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 3
Rds(on) mΩ max 4.5V: 4
Vth(V)typ: 1.2
VBZE10N60S VBsemi TO-252 600 10 30 470
VBZE10N60S
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  600V, 10A
Vds(V): 600
ID(A): 10
Vgs(V): 30
Rds(on) mΩ max 10V: 470
Vth(V)typ: 2
VBZE10N65S VBsemi TO-252 650 10 30 500
VBZE10N65S
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  650V, 10A
Vds(V): 650
ID(A): 10
Vgs(V): 30
Rds(on) mΩ max 10V: 500
Vth(V)typ: 2
VBZE11N60S VBsemi TO-252 600 11 30 380
VBZE11N60S
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  600V, 11A
Vds(V): 600
ID(A): 11
Vgs(V): 30
Rds(on) mΩ max 10V: 380
Vth(V)typ: 2
VBZE11N65S VBsemi TO-252 650 11 30 420
VBZE11N65S
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  650V, 11A
Vds(V): 650
ID(A): 11
Vgs(V): 30
Rds(on) mΩ max 10V: 420
Vth(V)typ: 2
VBZE15N50S VBsemi TO-252 500 15 30 290
VBZE15N50S
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  500V, 15A
Vds(V): 500
ID(A): 15
Vgs(V): 30
Rds(on) mΩ max 10V: 290
Vth(V)typ: 2
VBZE15N60S VBsemi TO-252 600 15 30 280
VBZE15N60S
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  600V, 15A
Vds(V): 600
ID(A): 15
Vgs(V): 30
Rds(on) mΩ max 10V: 280
Vth(V)typ: 2
VBZE20N03 VBsemi TO252 30 20 20 19 25
VBZE20N03
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  30V, 20A
Vds(V): 30
ID(A): 20
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 19
Rds(on) mΩ max 4.5V: 25
Vth(V)typ: 1
VBZE20N06 VBsemi TO252 60 20 20 17 22
VBZE20N06
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  60V, 20A
Vds(V): 60
ID(A): 20
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 17
Rds(on) mΩ max 4.5V: 22
Vth(V)typ: 2~4
VBZE20N10 VBsemi TO252 100 20 20 66 80
VBZE20N10
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  100V, 20A
Vds(V): 100
ID(A): 20
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 66
Rds(on) mΩ max 4.5V: 80
Vth(V)typ: 1.5
VBZE20N20 VBsemi TO252 200 20 20 80
VBZE20N20
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  200V, 20A
Vds(V): 200
ID(A): 20
Vgs(V): 20
Rds(on) mΩ max 10V: 80
Vth(V)typ: 2
VBZE2N60 VBsemi TO252 600 2 30 4400 5000
VBZE2N60
Подробнее В запрос
Single-N MOSFET  600V, 2A
Vds(V): 600
ID(A): 2
Vgs(V): 30
Rds(on) mΩ max 10V: 4400
Rds(on) mΩ max 4.5V: 5000
Vth(V)typ: 2
Продолжая пользоваться сайтом, Вы даете согласие на использование файлов Cookie и анонимных пользовательских данных.
Согласен