VBGQA3207N
VBGQA3207N
Dual SGT MOSFET 200V, 18A
Корпус: DFN5X6-8L
Производитель Weibi Semiconductor
Vds(V): 200
ID(A): 18
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 70
Vth(V)typ: 3.5