VBGQF1201M
VBGQF1201M
Single SGT MOSFET 200V, 10A
Корпус: DFN3.3X3.3-8L
Производитель Weibi Semiconductor
Vds(V): 200
ID(A): 10
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 145
Vth(V)typ: 3.5