VBGQE11506
VBGQE11506
Single SGT MOSFET 150V, 100A
Корпус: DFN8X8
Производитель Weibi Semiconductor
Vds(V): 150
ID(A): 100
Vgs(V): ±20
Rds(on) mΩ max 10V: 5.7
Vth(V)typ: 3